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Tagore Technology TP44440HB
GAN FET 1/2 BRIDGE .36OHM 30QFN
- Número da peça do fabricante :TP44440HB
- Fabricante :Tagore Technology
- Número de peça Dasenic :TP44440HB-DS
- Ficha de dados :
TP44440HB Ficha de dados - Descrição : GAN FET 1/2 BRIDGE .36OHM 30QFN
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 6.26Total : $ 6.26
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 2006
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 6.2600 | $ 6.26 |
| 10 + | $ 6.2500 | $ 62.50 |
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Tagore Technology TP44440HB especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers
製品ステータス:Active
応用:General Purpose
パッケージ/ケース:30-PowerWFQFN
テクノロジー:Gallium Nitride (GaN) FETs
出力構成:Half Bridge
負荷タイプ:Resistive
Rds On(タイプ):360mOhm LS, 360mOhm HS
電圧負荷:650V (Max)
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Tagore Technology TP44440HB
Tagore Technology は、無線周波数 (RF) および電源管理アプリケーション向けの窒化ガリウムオンシリコン (GaN-on-Si) 半導体技術のパイオニアとして 2011 年 1 月に設立されました。当社の高度な独自技術とデバイスは、システム ソリューションの複雑さ、サイズ、重量、消費電力を大幅に削減し、手頃な価格で、シリコン ソリューションと比較して電力変換の性能指数を大幅に向上させます。当社は、米国イリノイ州アーリントン ハイツとインドのコルカタに設計センターを持つファブレス半導体企業です。当社の研究開発チームは、ワイド バンドギャップ技術を活用した革新的なソリューションの開発に専念しており、お客様の RF および電源設計の課題に対処し、5G セルラー インフラストラクチャから消費者、自動車、防衛、セキュリティまで、幅広いアプリケーションの市場投入までの時間を短縮します。当社は、最高の品質と実証済みの高い信頼性を備えた製品を提供するために、主要な半導体ファウンドリやアセンブリ ハウスと提携しています。
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