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Tagore Technology TP44110HB
GAN FET 1/2 BRIDGE .09OHM 30QFN
- Número da peça do fabricante :TP44110HB
- Fabricante :Tagore Technology
- Número de peça Dasenic :TP44110HB-DS
- Ficha de dados :
TP44110HB Ficha de dados - Descrição : GAN FET 1/2 BRIDGE .09OHM 30QFN
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 13.76Total : $ 13.76
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
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Tagore Technology TP44110HB especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:30-PowerWFQFN
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:30-QFN (8x10)
構成:2 N-Channel (Half Bridge)
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650V
基本製品番号:TP44110
パッケージ:Tray
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Tagore Technology TP44110HB
Tagore Technology は、無線周波数 (RF) および電源管理アプリケーション向けの窒化ガリウムオンシリコン (GaN-on-Si) 半導体技術のパイオニアとして 2011 年 1 月に設立されました。当社の高度な独自技術とデバイスは、システム ソリューションの複雑さ、サイズ、重量、消費電力を大幅に削減し、手頃な価格で、シリコン ソリューションと比較して電力変換の性能指数を大幅に向上させます。当社は、米国イリノイ州アーリントン ハイツとインドのコルカタに設計センターを持つファブレス半導体企業です。当社の研究開発チームは、ワイド バンドギャップ技術を活用した革新的なソリューションの開発に専念しており、お客様の RF および電源設計の課題に対処し、5G セルラー インフラストラクチャから消費者、自動車、防衛、セキュリティまで、幅広いアプリケーションの市場投入までの時間を短縮します。当社は、最高の品質と実証済みの高い信頼性を備えた製品を提供するために、主要な半導体ファウンドリやアセンブリ ハウスと提携しています。
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