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Tagore Technology TA9310E
PA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
- Número da peça do fabricante :TA9310E
- Fabricante :Tagore Technology
- Número de peça Dasenic :TA9310E-DS
- Ficha de dados :
TA9310E Ficha de dados - Descrição : PA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 44.991Total : $ 44.99
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
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Tagore Technology TA9310E especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
製品ステータス:Active
電圧 - 定格:120 V
パッケージ/ケース:8-VDFN Exposed Pad
頻度:30MHz ~ 4GHz
定格電流（アンペア）:-
サプライヤーデバイスパッケージ:8-QFN (5x6)
電力 - 出力:20W
トランジスタタイプ:GaN HEMT
得:17.5dB
電圧 - テスト:32 V
ノイズ指数:-
現在 - テスト:100 mA
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:DISC 3A001B3
HTS 米国:8542.33.0001
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Tagore Technology TA9310E
Tagore Technology は、無線周波数 (RF) および電源管理アプリケーション向けの窒化ガリウムオンシリコン (GaN-on-Si) 半導体技術のパイオニアとして 2011 年 1 月に設立されました。当社の高度な独自技術とデバイスは、システム ソリューションの複雑さ、サイズ、重量、消費電力を大幅に削減し、手頃な価格で、シリコン ソリューションと比較して電力変換の性能指数を大幅に向上させます。当社は、米国イリノイ州アーリントン ハイツとインドのコルカタに設計センターを持つファブレス半導体企業です。当社の研究開発チームは、ワイド バンドギャップ技術を活用した革新的なソリューションの開発に専念しており、お客様の RF および電源設計の課題に対処し、5G セルラー インフラストラクチャから消費者、自動車、防衛、セキュリティまで、幅広いアプリケーションの市場投入までの時間を短縮します。当社は、最高の品質と実証済みの高い信頼性を備えた製品を提供するために、主要な半導体ファウンドリやアセンブリ ハウスと提携しています。
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