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Transphorm TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
- Número da peça do fabricante :TP65H070LSG
- Fabricante :Transphorm
- Número de peça Dasenic :TP65H070LSG-DS
- Ficha de dados :
TP65H070LSG Ficha de dados - Descrição : GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
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Transphorm TP65H070LSG especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:3-PowerDFN
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (8x8)
消費電力（最大）:96W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:25A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 700µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.3 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:600 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H070LSG
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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