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Transphorm TP65H300G4LSG

Em estoque: 1265

MOQ: 1

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Número da peça do fabricante :TP65H300G4LSG
Fabricante :Transphorm
Número de peça Dasenic :TP65H300G4LSG-DS
Ficha de dados : TP65H300G4LSG Ficha de dados PDF
Descrição : GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Pacote :-

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Transphorm TP65H300G4LSG especificações técnicas, atributos, parâmetros.

Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Status do produto:Active

Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem:Surface Mount

Pacote / Caixa:3-PowerDFN

Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)

Pacote de dispositivo do fornecedor:3-PQFN (8x8)

Dissipação de energia (máx.):21W (Tc)

Tipo F E T:N-Channel

Recurso F E T:-

Tensão de dreno para fonte ( Vdss):650 V

Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:6.5A (Tc)

Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:312mOhm @ 5A, 8V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.6V @ 500µA

Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:9.6 nC @ 8 V

Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:760 pF @ 400 V

Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):8V

Vgs ( Máx.):±18V

EU Status RoHS:RoHS Compliant

Estado do REACH:REACH is not affected

ECCN dos EUA:EAR99

Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TP65H300G4LSG fornecido por Transphorm

Fundada em 2007, a Transphorm é uma empresa global de semicondutores, liderando a Revolução GaN com os dispositivos GaN de mais alto desempenho e confiabilidade para aplicações de conversão de energia de alta tensão. Para garantir isso, a Transphorm implementa sua abordagem comercial verticalmente integrada exclusiva que alavanca a equipe de engenharia GaN mais experiente do setor em cada estágio de desenvolvimento: design, fabricação, suporte a dispositivos e aplicações. Essa abordagem, apoiada por um dos maiores portfólios de IP do setor com mais de 1000 patentes, produziu os únicos FETs GaN qualificados JEDEC e AEC-Q101 do setor. As inovações da Transphorm estão movendo a eletrônica de potência além das limitações do silício para atingir mais de 99% de eficiência, 40% mais densidade de potência e 20% menos custo do sistema — e é assim que fazemos isso.