as imagens são apenas para referência.
1 : $20.7600
O primeiro registro com pedidos acima de US$ 2.000 recebe um cupom de US$ 100. Registrar agora !
PN Junction Semiconductor P3M06060T3
SICFET N-CH 650V 46A TO220-3
- Número da peça do fabricante :P3M06060T3
- Fabricante :PN Junction Semiconductor
- Número de peça Dasenic :P3M06060T3-DS
- Ficha de dados :
P3M06060T3 Ficha de dados - Descrição : SICFET N-CH 650V 46A TO220-3
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 20.76Total : $ 20.76
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
- Entrega :
- Pagamento :
Em estoque: 1805
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 20.7600 | $ 20.76 |
| 11 + | $ 19.7218 | $ 216.94 |
Solicite um orçamento
save_cost
Strict_Quality
Fast_delivery
After_sales
PN Junction Semiconductor P3M06060T3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2L
消費電力（最大）:170W
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:46A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.2V @ 20mA (Typ)
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
Vgs (最大):+20V, -8V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PN Junction Semiconductor P3M06060T3
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
PN Junction Semiconductor Related_product_recommendations
Rfq_ad_title
P3M06060T3 mesmo tipo de produtos
Ratings_Reviews
Avaliações
Rate_product
Ratings_form_tips
