PN Junction Semiconductor

PN Junction Semiconductor foi fundada em setembro de 2018 como uma marca líder em dispositivos semicondutores de potência de terceira geração na China. Os principais produtos da empresa são MOSFETs de carboneto de silício de grau automotivo, SBDs de carboneto de silício e dispositivos de potência de nitreto de gálio. A empresa tem o catálogo mais abrangente de dispositivos de potência de carboneto de silício na China, com MOSFETs e SBDs de carboneto de silício cobrindo vários níveis de tensão e capacidades de condução de corrente, todos os quais passaram nos testes e certificação AEC-Q101 e podem atender a vários cenários de aplicação dos clientes. O Dr. Huang Xing, fundador da PN Junction Semiconductor, está profundamente envolvido no design e desenvolvimento de dispositivos de potência de carboneto de silício e nitreto de gálio desde 2009 e estudou com o Professor B. Jayant Baliga, o inventor do IGBT, e o Professor Alex Huang, o inventor do tiristor. Atualmente, a PN Junction Semiconductor lançou mais de 100 modelos diferentes de diodos de carboneto de silício, MOSFETs de carboneto de silício, módulos de potência de carboneto de silício e produtos GaN HEMT nas plataformas de tensão de 650 V, 1200 V e 1700 V. Produtos produzidos em massa têm sido amplamente utilizados em veículos elétricos, fontes de alimentação de equipamentos de TI, inversores fotovoltaicos, sistemas de armazenamento de energia, aplicações industriais e outros campos, fornecendo fornecimento contínuo e estável para fabricantes de Nível 1.