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PN Junction Semiconductor P3D06010T2
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2
- Número da peça do fabricante :P3D06010T2
- Fabricante :PN Junction Semiconductor
- Número de peça Dasenic :P3D06010T2-DS
- Ficha de dados :
P3D06010T2 Ficha de dados - Descrição : DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 8.32Total : $ 8.32
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 8.3200 | $ 8.32 |
| 11 + | $ 7.5236 | $ 82.76 |
| 101 + | $ 8.3200 | $ 840.32 |
| 501 + | $ 5.4200 | $ 2715.42 |
| 1001 + | $ 4.7400 | $ 4744.74 |
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PN Junction Semiconductor P3D06010T2 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:-
パッケージ/ケース:TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):30A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:-
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:44 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C (TJ)
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PN Junction Semiconductor P3D06010T2
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
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