as imagens são apenas para referência.
1 : $1.8900
O primeiro registro com pedidos acima de US$ 2.000 recebe um cupom de US$ 100. Registrar agora !
PN Junction Semiconductor P3D06004E2
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
- Número da peça do fabricante :P3D06004E2
- Fabricante :PN Junction Semiconductor
- Número de peça Dasenic :P3D06004E2-DS
- Ficha de dados :
P3D06004E2 Ficha de dados - Descrição : DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.89Total : $ 1.89
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
- Entrega :
- Pagamento :
Em estoque: 12000
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 1.8900 | $ 1.89 |
| 11 + | $ 1.7010 | $ 18.71 |
| 101 + | $ 1.4130 | $ 142.71 |
| 501 + | $ 1.2285 | $ 615.48 |
| 1001 + | $ 1.0773 | $ 1078.38 |
Solicite um orçamento
save_cost
Strict_Quality
Fast_delivery
After_sales
PN Junction Semiconductor P3D06004E2 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:-
パッケージ/ケース:TO-252-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-2
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):12A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:-
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:20 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C (TJ)
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PN Junction Semiconductor P3D06004E2
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
PN Junction Semiconductor Related_product_recommendations
Rfq_ad_title
P3D06004E2 mesmo tipo de produtos
Ratings_Reviews
Avaliações
Rate_product
Ratings_form_tips
