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IXYS IXG611S1T/R
IC GATE DRVR MOSF/IGBT 8SOIC
- Número da peça do fabricante :IXG611S1T/R
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXG611S1T/R-DS
- Ficha de dados :
IXG611S1T/R Ficha de dados - Descrição : IC GATE DRVR MOSF/IGBT 8SOIC
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IXYS IXG611S1T/R especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
入力タイプ:-
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
電圧 - 供給:-
チャンネルタイプ:-
駆動構成:-
ドライバー数:-
ゲートタイプ:-
ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:-
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
上昇/下降時間（標準）:-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXG611S1T/R
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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