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WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Número da peça do fabricante :NXPSC12650B6J
- Fabricante :WeEn Semiconductors
- Número de peça Dasenic :NXPSC12650B6J-DS
- Ficha de dados :
NXPSC12650B6J Ficha de dados - Descrição : SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 7.32Total : $ 7.32
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 7.3200 | $ 73.20 |
| 250 + | $ 6.1000 | $ 1525.00 |
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WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):12A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 12 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:80 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:380pF @ 1V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:175°C (Max)
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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