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Transphorm TP65H050WSQA
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
- Número da peça do fabricante :TP65H050WSQA
- Fabricante :Transphorm
- Número de peça Dasenic :TP65H050WSQA-DS
- Ficha de dados :
TP65H050WSQA Ficha de dados - Descrição : GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 15.795Total : $ 15.79
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 15.7950 | $ 15.80 |
| 10 + | $ 15.1020 | $ 151.02 |
| 30 + | $ 10.4040 | $ 312.12 |
| 60 + | $ 10.3860 | $ 623.16 |
| 120 + | $ 10.0890 | $ 1210.68 |
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Transphorm TP65H050WSQA especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Pacote / Caixa:TO-247-3
Tecnologia:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-247-3
Dissipação de energia (máx.):150W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):650 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:36A (Tc)
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.8V @ 700µA
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:24 nC @ 10 V
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:1000 pF @ 400 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):10V
Vgs ( Máx.):±20V
EU Status RoHS:ROHS3 Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.29.0095
Estado do REACH:REACH is not affected
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H050WSQA
Fundada em 2007, a Transphorm é uma empresa global de semicondutores, liderando a Revolução GaN com os dispositivos GaN de mais alto desempenho e confiabilidade para aplicações de conversão de energia de alta tensão. Para garantir isso, a Transphorm implementa sua abordagem comercial verticalmente integrada exclusiva que alavanca a equipe de engenharia GaN mais experiente do setor em cada estágio de desenvolvimento: design, fabricação, suporte a dispositivos e aplicações. Essa abordagem, apoiada por um dos maiores portfólios de IP do setor com mais de 1000 patentes, produziu os únicos FETs GaN qualificados JEDEC e AEC-Q101 do setor. As inovações da Transphorm estão movendo a eletrônica de potência além das limitações do silício para atingir mais de 99% de eficiência, 40% mais densidade de potência e 20% menos custo do sistema — e é assim que fazemos isso.
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