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Transphorm TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
- Número da peça do fabricante :TP65H050G4WS
- Fabricante :Transphorm
- Número de peça Dasenic :TP65H050G4WS-DS
- Ficha de dados :
TP65H050G4WS Ficha de dados - Descrição : 650 V 34 A GAN FET
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 12.627Total : $ 12.63
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 12.6270 | $ 12.63 |
| 30 + | $ 8.1630 | $ 244.89 |
| 510 + | $ 7.6140 | $ 3883.14 |
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Transphorm TP65H050G4WS especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力（最大）:119W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:34A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 700µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1000 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H050G4WS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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