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Transphorm TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
- Número da peça do fabricante :TP65H035WS
- Fabricante :Transphorm
- Número de peça Dasenic :TP65H035WS-DS
- Ficha de dados :
TP65H035WS Ficha de dados - Descrição : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 14.409Total : $ 14.41
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 14.4090 | $ 14.41 |
| 30 + | $ 12.2034 | $ 366.10 |
| 120 + | $ 14.4090 | $ 1729.08 |
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Transphorm TP65H035WS especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力（最大）:156W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:46.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:36 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1500 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:12V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H035WS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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