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Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
- Número da peça do fabricante :TK7A60W,S4VX
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :TK7A60W,S4VX-DS
- Ficha de dados :
TK7A60W,S4VX Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 2.322Total : $ 2.32
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 2.3220 | $ 2.32 |
| 50 + | $ 1.1405 | $ 57.03 |
| 100 + | $ 2.3220 | $ 232.20 |
| 500 + | $ 0.8254 | $ 412.70 |
| 1000 + | $ 0.7609 | $ 760.90 |
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Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W,S4VX especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
消費電力（最大）:30W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:Super Junction
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:7A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.7V @ 350µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:15 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:490 pF @ 300 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W,S4VX
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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