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Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
- Número da peça do fabricante :TK6R9P08QM,RQ
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :TK6R9P08QM,RQ-DS
- Ficha de dados :
TK6R9P08QM,RQ Ficha de dados - Descrição : UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.17Total : $ 1.17
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 1.1700 | $ 1.17 |
| 10 + | $ 0.7884 | $ 7.88 |
| 100 + | $ 0.5508 | $ 55.08 |
| 250 + | $ 0.5499 | $ 137.48 |
| 500 + | $ 0.4455 | $ 222.75 |
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Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM,RQ especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
消費電力（最大）:89W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:62A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6.9mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2700 pF @ 40 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM,RQ
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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