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Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Número da peça do fabricante :TK3R9E10PL,S1X
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :TK3R9E10PL,S1X-DS
- Ficha de dados :
TK3R9E10PL,S1X Ficha de dados - Descrição : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 5.92Total : $ 5.92
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 5.9200 | $ 5.92 |
| 10 + | $ 3.5400 | $ 35.40 |
| 100 + | $ 3.0600 | $ 306.00 |
| 250 + | $ 3.0400 | $ 760.00 |
| 500 + | $ 2.7400 | $ 1370.00 |
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Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL,S1X especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
消費電力（最大）:230W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:96 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:6320 pF @ 50 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL,S1X
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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