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Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
- Número da peça do fabricante :TK1R4S04PB,LXHQ
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :TK1R4S04PB,LXHQ-DS
- Ficha de dados :
TK1R4S04PB,LXHQ Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 2.349Total : $ 2.35
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 2.3490 | $ 2.35 |
| 10 + | $ 1.5120 | $ 15.12 |
| 100 + | $ 1.0440 | $ 104.40 |
| 500 + | $ 0.8253 | $ 412.65 |
| 1000 + | $ 0.7623 | $ 762.30 |
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Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB,LXHQ especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK+
消費電力（最大）:180W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:120A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.9mOhm @ 60A, 6V
Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:103 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5500 pF @ 10 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB,LXHQ
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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