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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- Número da peça do fabricante :SSM6L35FE,LM
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :SSM6L35FE,LM-DS
- Ficha de dados :
SSM6L35FE,LM Ficha de dados - Descrição : MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.1035Total : $ 0.10
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 0.1035 | $ 1.04 |
| 4000 + | $ 0.0575 | $ 230.00 |
| 8000 + | $ 0.0467 | $ 373.60 |
| 12000 + | $ 0.0575 | $ 690.00 |
| 20000 + | $ 0.0448 | $ 896.00 |
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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE,LM especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
パワー - 最大:150mW
サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
F E Tタイプ:N and P-Channel
F E T機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:180mA, 100mA
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:9.5pF @ 3V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE,LM
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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