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Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
- Número da peça do fabricante :RN4901FE,LF(CT
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :RN4901FE,LF(CT-DS
- Ficha de dados :
RN4901FE,LF(CT Ficha de dados - Descrição : PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.18Total : $ 0.18
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.1800 | $ 0.18 |
| 10 + | $ 0.1125 | $ 1.13 |
| 100 + | $ 0.1800 | $ 18.00 |
| 500 + | $ 0.0507 | $ 25.35 |
| 1000 + | $ 0.0447 | $ 44.70 |
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Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE,LF(CT especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
パワー - 最大:100mW
サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
トランジスタタイプ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:30 @ 10mA, 5V
周波数 - 遷移:200MHz, 250MHz
抵抗器 - ベース ( R1):4.7kOhms
抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):4.7kOhms
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0075
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE,LF(CT
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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