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Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
- Número da peça do fabricante :RN1707JE(TE85L,F)
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :RN1707JE(TE85L,F)-DS
- Ficha de dados :
RN1707JE(TE85L,F) Ficha de dados - Descrição : NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.252Total : $ 0.25
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.2520 | $ 0.25 |
| 10 + | $ 0.1593 | $ 1.59 |
| 100 + | $ 0.0729 | $ 7.29 |
| 1000 + | $ 0.0576 | $ 57.60 |
| 4000 + | $ 0.0540 | $ 216.00 |
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F) especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-553
パワー - 最大:100mW
サプライヤーデバイスパッケージ:ESV
トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 10mA, 5V
周波数 - 遷移:250MHz
抵抗器 - ベース ( R1):10kOhms
抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47kOhms
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F)
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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