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Taiwan Semiconductor TSM60NB900CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
- Número da peça do fabricante :TSM60NB900CP ROG
- Fabricante :Taiwan Semiconductor
- Número de peça Dasenic :TSM60NB900CP ROG-DS
- Ficha de dados :
TSM60NB900CP ROG Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.404Total : $ 1.40
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
- Entrega :
- Pagamento :
Em estoque: 5940
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 1.4040 | $ 1.40 |
| 10 + | $ 1.1484 | $ 11.48 |
| 100 + | $ 0.8930 | $ 89.30 |
| 500 + | $ 0.7569 | $ 378.45 |
| 1000 + | $ 0.6166 | $ 616.60 |
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Taiwan Semiconductor TSM60NB900CP ROG especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252, (D-Pak)
消費電力（最大）:36.8W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:900mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.6 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:315 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Taiwan Semiconductor TSM60NB900CP ROG
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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