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ROHM Semiconductor R6076ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
- Número da peça do fabricante :R6076ENZ1C9
- Fabricante :ROHM Semiconductor
- Número de peça Dasenic :R6076ENZ1C9-DS
- Ficha de dados :
R6076ENZ1C9 Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 600V 76A TO247
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 5.094Total : $ 5.09
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 1545
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 5.0940 | $ 5.09 |
| 10 + | $ 4.9545 | $ 49.55 |
| 50 + | $ 4.8618 | $ 243.09 |
| 100 + | $ 4.7691 | $ 476.91 |
| 500 + | $ 4.7466 | $ 2373.30 |
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ROHM Semiconductor R6076ENZ1C9 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
消費電力（最大）:120W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:76A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:260 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:6500 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ROHM Semiconductor R6076ENZ1C9
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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