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Rectron USA RM12N650LD
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO252-2
- Número da peça do fabricante :RM12N650LD
- Fabricante :Rectron USA
- Número de peça Dasenic :RM12N650LD-DS
- Ficha de dados :
RM12N650LD Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 650V 11.5A TO252-2
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 4.6488Total : $ 4.65
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 4.6488 | $ 46.49 |
| 625 + | $ 3.8740 | $ 2421.25 |
| 1250 + | $ 2.3840 | $ 2980.00 |
| 1875 + | $ 1.8880 | $ 3540.00 |
| 2500 + | $ 1.8500 | $ 4625.00 |
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Rectron USA RM12N650LD especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-2
消費電力（最大）:101W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:360mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:870 pF @ 50 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Rectron USA RM12N650LD
レクトロン社は1976年に台湾政府の主導で設立され、台湾の資本と技術で半導体シリコン整流器を製造した最初の企業です。1985年に政府の認可を受け、台湾証券取引所に上場しました（株式コード2302）。40年以上の生産と管理の経験を持つレクトロン社は、垂直統合生産と組み立てアプローチを使用して、主に整流ダイオードを製造販売しています。これらの製品は、車両、家電製品、通信機器、コンピューター、端末、LED照明に使用されています。生産と販売の構成では、新北市の本社工場に加えて、中国の浙江省に生産拠点が拡大しています。レクトロンの販売拠点は、ロサンゼルスと香港の販売会社を含む世界中に広がっており、より充実した効率的な近隣サービスを顧客に提供することを目指しています。
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