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Onsemi NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
- Número da peça do fabricante :NTMS5835NLR2G
- Fabricante :Onsemi
- Número de peça Dasenic :NTMS5835NLR2G-DS
- Ficha de dados :
NTMS5835NLR2G Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 2.2465Total : $ 2.25
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 2.2465 | $ 2.25 |
| 25 + | $ 2.2014 | $ 55.04 |
| 100 + | $ 2.1117 | $ 211.17 |
| 500 + | $ 2.0221 | $ 1011.05 |
| 1000 + | $ 1.9095 | $ 1909.50 |
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Onsemi NTMS5835NLR2G especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
消費電力（最大）:1.5W (Ta)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:50 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2115 pF @ 20 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Onsemi NTMS5835NLR2G
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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