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Rochester Electronics FQU10N20TU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
- Número da peça do fabricante :FQU10N20TU
- Fabricante :Rochester Electronics
- Número de peça Dasenic :FQU10N20TU-DS
- Ficha de dados :
FQU10N20TU Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.429Total : $ 0.43
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 26129
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.4290 | $ 0.43 |
| 25 + | $ 0.4205 | $ 10.51 |
| 100 + | $ 0.4033 | $ 40.33 |
| 500 + | $ 0.3861 | $ 193.05 |
| 1000 + | $ 0.3647 | $ 364.70 |
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Rochester Electronics FQU10N20TU especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:I-PAK
消費電力（最大）:2.5W (Ta), 51W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:7.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:18 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:670 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Rochester Electronics FQU10N20TU
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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