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Rochester Electronics FQS4900TF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Número da peça do fabricante :FQS4900TF
- Fabricante :Rochester Electronics
- Número de peça Dasenic :FQS4900TF-DS
- Ficha de dados :
FQS4900TF Ficha de dados - Descrição : POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.5031Total : $ 0.50
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 44338
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.5031 | $ 0.50 |
| 25 + | $ 0.4930 | $ 12.33 |
| 100 + | $ 0.4730 | $ 47.30 |
| 500 + | $ 0.4528 | $ 226.40 |
| 1000 + | $ 0.4277 | $ 427.70 |
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Rochester Electronics FQS4900TF especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大:2W
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
F E Tタイプ:N and P-Channel
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V, 300V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.3A, 300mA
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:550mOhm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:1.95V @ 20mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:2.1nC @ 5V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.39.0001
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Rochester Electronics FQS4900TF
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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