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Rochester Electronics FDZ3N513ZT
MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
- Número da peça do fabricante :FDZ3N513ZT
- Fabricante :Rochester Electronics
- Número de peça Dasenic :FDZ3N513ZT-DS
- Ficha de dados :
FDZ3N513ZT Ficha de dados - Descrição : MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.3022Total : $ 0.30
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 30563
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.3022 | $ 0.30 |
| 25 + | $ 0.2962 | $ 7.41 |
| 100 + | $ 0.2841 | $ 28.41 |
| 500 + | $ 0.2720 | $ 136.00 |
| 1000 + | $ 0.2569 | $ 256.90 |
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Rochester Electronics FDZ3N513ZT especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:4-XFBGA, WLCSP
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:4-WLCSP (1x1)
消費電力（最大）:1W (Ta)
F E Tタイプ:P-Channel
F E T機能:Schottky Diode (Isolated)
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.1A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id:1.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1 nC @ 4.5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:85 pF @ 15 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
Vgs (最大):+5.5V, -300mV
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:0000.00.0000
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Rochester Electronics FDZ3N513ZT
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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