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Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Onsemi FDMD8530

    MOSFET 2N-CH 30V 35A
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :FDMD8530
  • Fabricante :Onsemi
  • Número de peça Dasenic :FDMD8530-DS
  • Ficha de dados :pdf download FDMD8530 Ficha de dados
  • Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 35A
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 1.008Total : $ 1.01
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 19500
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
1 +$ 1.0080$ 1.01
25 +$ 0.9900$ 24.75
100 +$ 0.9450$ 94.50
500 +$ 0.9090$ 454.50
1000 +$ 0.8568$ 856.80

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Onsemi FDMD8530 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
パワー - 最大:2.2W
サプライヤーデバイスパッケージ:Power56
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:35A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.25mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:149nC @ 10V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:10395pF @ 15V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Onsemi FDMD8530
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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