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MDE Semiconductor, Inc. MSMLJ11A
TVS DIODE UP 11VRWM 18.2VC
- Número da peça do fabricante :MSMLJ11A
- Fabricante :MDE Semiconductor, Inc.
- Número de peça Dasenic :MSMLJ11A-DS
- Ficha de dados :
MSMLJ11A Ficha de dados - Descrição : TVS DIODE UP 11VRWM 18.2VC DO-214AB, SMC
- Pacote :DO-214AB, SMC
- Quantidade :Preço unitário : $ 6Total : $ 6.00
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 6.0000 | $ 60.00 |
| 500 + | $ 5.0000 | $ 2500.00 |
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MDE Semiconductor, Inc. MSMLJ11A especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Circuit Protection Devices/TVS - Diodes
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:DO-214AB, SMC
タイプ:Zener
周波数に対する静電容量:-
サプライヤーデバイスパッケージ:DO-214AB (SMCJ)
一方向チャネル:1
電圧 - 逆スタンドオフ（標準）:11V
電圧 - 破壊（最小）:12.2V
電圧 - クランプ（最大）@ Ipp:18.2V
電流 - ピークパルス (10/1000µs):164.8A
パワー - ピークパルス:3000W (3kW)
電力線保護:No
双方向チャネル:-
アプリケーション:General Purpose
MDE Semiconductor, Inc. MSMLJ11A
MDE Semiconductor, Inc. は、回路保護製品に一心に注力する、革新的で品質志向のデバイス製造業者です。当社の過渡電圧サプレッサ ダイオード製品は、雷、静電放電 (ESD)、核電磁パルス (NEMP)、誘導スイッチングの破壊的な影響から電子システムを保護するために特別に設計されています。すべてのシリコン デバイスは、当社の有名な低リーク ガラス パッシベーション プロセスで製造されており、400 ワットから最大 288,000 ワットの高エネルギー吸収能力を備えています。TVS (過渡電圧サプレッサ ダイオード) 製品に注力している当社は、通信、自動車、コンピューター、産業用電子機器など、幅広い市場をカバーする要件について豊富な知識を持っています。MDE Semiconductor, Inc. は回路保護製品の市場リーダーであり、標準過渡電圧サプレッサ ダイオードの幅広いオプションと高電流 TVS ダイオード、サイリスタ、バリスタをお客様に提供しています。当社の製造施設は ISO 9001:2015 に準拠しています。
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