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Kioxia America, Inc. TC58NYG0S3HBAI6
Em estoque: 1733
MOQ: 1
5 Níveis de preço
- Número da peça do fabricante :TC58NYG0S3HBAI6
- Fabricante :Kioxia America, Inc.
- Número de peça Dasenic :TC58NYG0S3HBAI6-DS
- Ficha de dados : TC58NYG0S3HBAI6 Ficha de dados PDF
- Descrição : IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
- Pacote :-
- PREÇO UNITÁRIO: $2.4570Total: $2.46
Quantidade | PREÇO UNITÁRIO | Salvar |
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1-1 | $2.4570 | - |
2-10 | $2.2977 | 6.5% Salvar |
11-25 | $2.4570 | - |
26-40 | $2.1958 | 10.6% Salvar |
41-80 | $2.1449 | 12.7% Salvar |
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Kioxia America, Inc. TC58NYG0S3HBAI6 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Categoria:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Pacote / Caixa:67-VFBGA
Tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Pacote de dispositivo do fornecedor:67-VFBGA (6.5x8)
Tamanho da memória:1Gb (128M x 8)
Tipo de memória:Non-Volatile
Tensão - Alimentação:1.7V ~ 1.95V
Frequência do relógio:-
Tempo de acesso:25 ns
Formato de memória:Flash
Interface de memória:Parallel
Tempo de ciclo de escrita - Word, Page:25ns
EU Status RoHS:ROHS3 Compliant
Classificação MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:3A991B1A
HTS EUA:8542.32.0071
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TC58NYG0S3HBAI6 fornecido por Kioxia America, Inc.
KIOXIA America, Inc. (anteriormente Toshiba Memory America, Inc.) é a subsidiária sediada nos EUA da KIOXIA Corporation, uma fornecedora líder mundial de memória flash e unidades de estado sólido (SSDs). Da invenção da memória flash à inovadora tecnologia BiCS FLASH™ 3D de hoje, a KIOXIA continua a ser pioneira em soluções e serviços de memória de ponta que enriquecem a vida das pessoas e expandem os horizontes da sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da empresa, BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, SSDs, automotivos e data centers.
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Avaliações e avaliações
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John D.
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Sarah M.
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