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  • IXYS MIXA30W1200TED

    IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :MIXA30W1200TED
  • Fabricante :IXYS
  • Número de peça Dasenic :MIXA30W1200TED-DS
  • Ficha de dados :pdf download MIXA30W1200TED Ficha de dados
  • Descrição : IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 157.54Total : $ 157.54
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 2991
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
1 +$ 157.5400$ 157.54
3 +$ 139.2000$ 417.60
6 +$ 125.0200$ 750.12

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IXYS MIXA30W1200TED especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:E2
パワー - 最大:150 W
サプライヤーデバイスパッケージ:E2
構成:Three Phase Inverter with Brake
入力:Standard
電流 - コレクター ( Ic) (最大):43 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
電流 - コレクターカットオフ(最大):2.1 mA
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 25A
入力容量 ( Cies) @ Vce:-
N T Cサーミスタ:Yes
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS MIXA30W1200TED
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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