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IXYS MDNA660U2200PTEH
BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
- Número da peça do fabricante :MDNA660U2200PTEH
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :MDNA660U2200PTEH-DS
- Ficha de dados :
MDNA660U2200PTEH Ficha de dados - Descrição : BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 551.94Total : $ 551.94
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 551.9400 | $ 551.94 |
| 3 + | $ 496.5400 | $ 1489.62 |
| 5 + | $ 439.0800 | $ 2195.40 |
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IXYS MDNA660U2200PTEH especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:E3
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:E3
ダイオードタイプ:Three Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:2.2 kV
電流 - 平均整流 ( Io):660 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.95 V @ 660 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:400 µA @ 2.2 kV
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS MDNA660U2200PTEH
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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