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IXYS IXYP10N65C3
IGBT 650V 30A 160W TO220
- Número da peça do fabricante :IXYP10N65C3
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXYP10N65C3-DS
- Ficha de dados :
IXYP10N65C3 Ficha de dados - Descrição : IGBT 650V 30A 160W TO220
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 3.44Total : $ 3.44
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 3.4400 | $ 3.44 |
| 3 + | $ 3.0800 | $ 9.24 |
| 10 + | $ 2.7400 | $ 27.40 |
| 50 + | $ 2.4600 | $ 123.00 |
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IXYS IXYP10N65C3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:160 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-3
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 10A
電流 - コレクタパルス ( Icm):54 A
エネルギーの切り替え:240µJ (on), 110µJ (off)
ゲートチャージ:18 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:20ns/77ns
テスト条件:400V, 10A, 50Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXYP10N65C3
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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