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IXYS IXYN120N65C3D1
IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI
- Número da peça do fabricante :IXYN120N65C3D1
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXYN120N65C3D1-DS
- Ficha de dados :
IXYN120N65C3D1 Ficha de dados - Descrição : IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 102.9111Total : $ 102.91
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IXYS IXYN120N65C3D1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:830 W
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
逆回復時間 (trr):29 ns
電流 - コレクター ( Ic) (最大):190 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.8V @ 15V, 100A
電流 - コレクタパルス ( Icm):620 A
エネルギーの切り替え:1.25mJ (on), 500µJ (off)
ゲートチャージ:265 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:28ns/127ns
テスト条件:400V, 50A, 2Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXYN120N65C3D1
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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