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IXYS IXTP80N10T
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
- Número da peça do fabricante :IXTP80N10T
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXTP80N10T-DS
- Ficha de dados :
IXTP80N10T Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.3234Total : $ 1.32
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 35 + | $ 1.3234 | $ 46.32 |
| 85 + | $ 1.0859 | $ 92.30 |
| 130 + | $ 1.0519 | $ 136.75 |
| 180 + | $ 1.0180 | $ 183.24 |
| 230 + | $ 0.9841 | $ 226.34 |
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IXYS IXTP80N10T especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-3
消費電力（最大）:230W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:80A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:14mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 100µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:60 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3040 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTP80N10T
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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