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IXYS IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
- Número da peça do fabricante :IXTN170P10P
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXTN170P10P-DS
- Ficha de dados :
IXTN170P10P Ficha de dados - Descrição : MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 26.802Total : $ 26.80
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 26.8020 | $ 26.80 |
| 5 + | $ 24.8940 | $ 124.47 |
| 10 + | $ 22.9230 | $ 229.23 |
| 25 + | $ 21.8610 | $ 546.53 |
| 100 + | $ 21.3390 | $ 2133.90 |
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IXYS IXTN170P10P especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
消費電力（最大）:890W (Tc)
F E Tタイプ:P-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:170A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:240 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:12600 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTN170P10P
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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