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IXYS IXTH60N30T
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
- Número da peça do fabricante :IXTH60N30T
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXTH60N30T-DS
- Ficha de dados :
IXTH60N30T Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 300V 60A TO247
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IXYS IXTH60N30T especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247 (IXTH)
消費電力（最大）:-
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):300 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTH60N30T
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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