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IXYS IXTA110N055T2
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
- Número da peça do fabricante :IXTA110N055T2
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXTA110N055T2-DS
- Ficha de dados :
IXTA110N055T2 Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 55V 110A TO263
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.7451Total : $ 1.75
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 5 + | $ 1.7451 | $ 8.73 |
| 10 + | $ 1.7271 | $ 17.27 |
| 25 + | $ 1.7100 | $ 42.75 |
| 50 + | $ 1.5354 | $ 76.77 |
| 100 + | $ 1.2942 | $ 129.42 |
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IXYS IXTA110N055T2 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
消費電力（最大）:180W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):55 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:110A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:57 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3060 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTA110N055T2
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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