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IXYS IXGT2N250
IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
- Número da peça do fabricante :IXGT2N250
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXGT2N250-DS
- Ficha de dados :
IXGT2N250 Ficha de dados - Descrição : IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 42.6781Total : $ 42.68
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 180 + | $ 42.6781 | $ 7682.06 |
| 3000 + | $ 42.2468 | $ 126740.40 |
| 6000 + | $ 42.2009 | $ 253205.40 |
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IXYS IXGT2N250 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:32 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268AA
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):5.5 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):2500 V
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.1V @ 15V, 2A
電流 - コレクタパルス ( Icm):13.5 A
エネルギーの切り替え:-
ゲートチャージ:10.5 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:-
テスト条件:-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXGT2N250
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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