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IXYS IXFX100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
- Número da peça do fabricante :IXFX100N65X2
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXFX100N65X2-DS
- Ficha de dados :
IXFX100N65X2 Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 15.237Total : $ 15.24
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 15.2370 | $ 15.24 |
| 5 + | $ 13.9320 | $ 69.66 |
| 10 + | $ 12.6270 | $ 126.27 |
| 25 + | $ 11.3220 | $ 283.05 |
| 100 + | $ 10.0170 | $ 1001.70 |
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IXYS IXFX100N65X2 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3 Variant
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:PLUS247™-3
消費電力（最大）:1040W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:5.5V @ 4mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:180 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:11300 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXFX100N65X2
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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