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IXYS IXFT4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO268
- Número da peça do fabricante :IXFT4N100Q
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXFT4N100Q-DS
- Ficha de dados :
IXFT4N100Q Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 1000V 4A TO268
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IXYS IXFT4N100Q especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268AA
消費電力（最大）:150W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 1.5mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1050 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXFT4N100Q
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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