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IXYS IXFN27N120SK
SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
- Número da peça do fabricante :IXFN27N120SK
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXFN27N120SK-DS
- Ficha de dados :
IXFN27N120SK Ficha de dados - Descrição : SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 101.44Total : $ 101.44
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 101.4400 | $ 101.44 |
| 10 + | $ 86.2200 | $ 862.20 |
| 20 + | $ 83.3200 | $ 1666.40 |
| 50 + | $ 80.5200 | $ 4026.00 |
| 100 + | $ 77.7600 | $ 7776.00 |
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IXYS IXFN27N120SK especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
パワー - 最大:-
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXFN27N120SK
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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