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IXYS IXDH20N120D1
IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
- Número da peça do fabricante :IXDH20N120D1
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXDH20N120D1-DS
- Ficha de dados :
IXDH20N120D1 Ficha de dados - Descrição : IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 10.468Total : $ 10.47
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 10.4680 | $ 104.68 |
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IXYS IXDH20N120D1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:200 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AD
逆回復時間 (trr):40 ns
電流 - コレクター ( Ic) (最大):38 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
I G B Tタイプ:NPT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 20A
電流 - コレクタパルス ( Icm):50 A
エネルギーの切り替え:3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
ゲートチャージ:70 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:-
テスト条件:600V, 20A, 82Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXDH20N120D1
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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