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IXYS FUE30-12N1
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
- Número da peça do fabricante :FUE30-12N1
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :FUE30-12N1-DS
- Ficha de dados :
FUE30-12N1 Ficha de dados - Descrição : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 15.138Total : $ 15.14
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
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IXYS FUE30-12N1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:i4-Pac™-5
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:1.2 kV
電流 - 平均整流 ( Io):30 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.37 V @ 10 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 µA @ 1200 V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS FUE30-12N1
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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