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IXYS DHG10I1200PA
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
- Número da peça do fabricante :DHG10I1200PA
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :DHG10I1200PA-DS
- Ficha de dados :
DHG10I1200PA Ficha de dados - Descrição : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 2.457Total : $ 2.46
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 2.4570 | $ 2.46 |
| 50 + | $ 1.2510 | $ 62.55 |
| 100 + | $ 2.4570 | $ 245.70 |
| 500 + | $ 0.9707 | $ 485.35 |
| 1000 + | $ 0.9324 | $ 932.40 |
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IXYS DHG10I1200PA especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AC
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):10A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.22 V @ 10 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:15 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):200 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS DHG10I1200PA
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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