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ISSI® IS43TR16512S2DL-107MBLI
8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866M
- Número da peça do fabricante :IS43TR16512S2DL-107MBLI
- Fabricante :ISSI®
- Número de peça Dasenic :IS43TR16512S2DL-107MBLI-DS
- Ficha de dados :
IS43TR16512S2DL-107MBLI Ficha de dados - Descrição : 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866M
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 20.52Total : $ 20.52
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 20.5200 | $ 20.52 |
| 25 + | $ 20.1060 | $ 502.65 |
| 100 + | $ 19.2870 | $ 1928.70 |
| 500 + | $ 18.4680 | $ 9234.00 |
| 1000 + | $ 17.4420 | $ 17442.00 |
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ISSI® IS43TR16512S2DL-107MBLI especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Pacote / Caixa:96-LFBGA
Tecnologia:SDRAM - DDR3L
Pacote de dispositivo do fornecedor:96-LWBGA (9x13)
Tamanho da memória:8Gbit
Tipo de memória:Volatile
Tensão - Alimentação:1.283V ~ 1.45V
Frequência do relógio:933 MHz
Tempo de acesso:20 ns
Formato de memória:DRAM
Interface de memória:Parallel
Tempo de ciclo de escrita - Word, Page:15ns
Organização da Memória:512M x 16
Embalagem:Bulk
EU Status RoHS:ROHS3 Compliant
Classificação MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:EAR99
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS43TR16512S2DL-107MBLI
Fundada em 1988, a Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) é uma empresa de semicondutores especializada em design, desenvolvimento e fabricação de uma ampla gama de circuitos integrados (ICs) e produtos de memória. Nós projetamos, desenvolvemos e comercializamos circuitos integrados de alto desempenho para os seguintes mercados principais: automotivo, industrial e médico, comunicações/empresariais e consumidor digital. Nossos principais produtos são SRAM de alta velocidade e baixa potência e DRAM de baixa e média densidade, NOR/NAND Flash e produtos eMMC. A ISSI também oferece soluções de personalização e específicas para aplicações para atender aos requisitos exclusivos de nossos clientes. A sede regional da ISSI fica na Califórnia, com escritórios em todo o mundo na China continental, Europa, Hong Kong, Índia, Israel, Japão, Coreia, Cingapura, Taiwan e EUA.
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