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ISSI® IS42S16100E-6TL
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
- Número da peça do fabricante :IS42S16100E-6TL
- Fabricante :ISSI®
- Número de peça Dasenic :IS42S16100E-6TL-DS
- Ficha de dados :
IS42S16100E-6TL Ficha de dados - Descrição : IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
- Pacote :-
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
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ISSI® IS42S16100E-6TL especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Status do produto:Obsolete
Pacote / Caixa:50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Tecnologia:SDRAM
Temperatura de operação:0°C ~ 70°C (TA)
Tensão- Alimentação:3V ~ 3.6V
Tamanho da memória:16Mbit
Tipo de memória:Volatile
Frequência do Relógio:166 MHz
Tempo de acesso:5.5 ns
Formato de memória:DRAM
Interface de Memória:Parallel
Organização da Memória:1M x 16
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Estado do REACH:Vendor is not defined
ECCN dos EUA:Provided as per user requirements
Status RoHS da China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISSI® IS42S16100E-6TL
Fundada em 1988, a Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) é uma empresa de semicondutores especializada em design, desenvolvimento e fabricação de uma ampla gama de circuitos integrados (ICs) e produtos de memória. Nós projetamos, desenvolvemos e comercializamos circuitos integrados de alto desempenho para os seguintes mercados principais: automotivo, industrial e médico, comunicações/empresariais e consumidor digital. Nossos principais produtos são SRAM de alta velocidade e baixa potência e DRAM de baixa e média densidade, NOR/NAND Flash e produtos eMMC. A ISSI também oferece soluções de personalização e específicas para aplicações para atender aos requisitos exclusivos de nossos clientes. A sede regional da ISSI fica na Califórnia, com escritórios em todo o mundo na China continental, Europa, Hong Kong, Índia, Israel, Japão, Coreia, Cingapura, Taiwan e EUA.
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