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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Número da peça do fabricante :IPG20N10S4L35ATMA1
- Fabricante :Infineon Technologies
- Número de peça Dasenic :IPG20N10S4L35ATMA1-DS
- Ficha de dados :
IPG20N10S4L35ATMA1 Ficha de dados - Descrição : MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.5025Total : $ 0.50
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.5025 | $ 0.50 |
| 25 + | $ 0.4924 | $ 12.31 |
| 100 + | $ 0.4723 | $ 47.23 |
| 500 + | $ 0.4523 | $ 226.15 |
| 1000 + | $ 0.4271 | $ 427.10 |
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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
パワー - 最大:43W
サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TDSON-8-4
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:35mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.1V @ 16µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:17.4nC @ 10V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1105pF @ 25V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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