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Infineon Technologies IPD65R420CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
- Número da peça do fabricante :IPD65R420CFDBTMA1
- Fabricante :Infineon Technologies
- Número de peça Dasenic :IPD65R420CFDBTMA1-DS
- Ficha de dados :
IPD65R420CFDBTMA1 Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.7117Total : $ 0.71
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.7117 | $ 0.71 |
| 25 + | $ 0.6975 | $ 17.44 |
| 100 + | $ 0.6691 | $ 66.91 |
| 500 + | $ 0.6405 | $ 320.25 |
| 1000 + | $ 0.6050 | $ 605.00 |
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Infineon Technologies IPD65R420CFDBTMA1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
消費電力（最大）:83.3W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 340µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:870 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Infineon Technologies IPD65R420CFDBTMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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